En ce sens, Samsung Semiconductor vient de passer à l’étape de production de masse de ses modules NAND de 64 Go gravés en 10nm. Comparés à la génération précédente gravée en 20nm, ces modules sont censées offrir plus de 30 % de performances en plus dans un volume 20% moins important.
Une prouesse qui se traduit en théorie par une meilleure expérience utilisateur puisque à stockage égal, un programme se lancera plus vite sur ces puces nouvelle génération comparées à une MicroSD de classe 10 par exemple :
260 mb/s en lecture/écriture séquentielle pour la NAND 10nm contre 24 mb/s et 12 mb/s respectivement en lecture et écriture séquentielle sur une carte SD de classe 10.
La production de masse au sein des usines de Samsung Semiconductor a débuté le mois dernier pour une disponibilité auprès des partenaires fixée au premier semestre 2013.