C’est en tout cas le résultat auquel sont parvenus des chercheurs de l’université de Tokyo, grâce à une toute nouvelle méthode d’écriture sur la mémoire flash NAND et une technique de self-boost simple cellule (vous suivez ?). Du coup, les chercheurs ont réussi a faire baisser les voltages opérationnels à 1V, facilitant ainsi l’écriture sur 100 puces NAND simultanément, se traduisant par une vitesse d’écriture de 9.5GBps. Quand même.
Même s’il faut garder à l’esprit que de tels résultats ne pourront être obtenus par des SSD commercialisés avant un petit moment. Mais c’est quand même légèrement “over 9000” tout ça…
via engadget