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Cette nouvelle mémoire électronique pourrait faire durer nos batteries beaucoup plus longtemps

Des chercheurs japonais ont conçu un composant mémoire minuscule qui consomme moins d’énergie à mesure qu’il devient plus petit. Une découverte qui pourrait aider les smartphones, objets connectés et systèmes d’IA à moins chauffer et à tenir plus longtemps sur batterie.

Dans l’univers de l’électronique, tout le monde court après la miniaturisation. Les fabricants veulent des puces plus petites, plus rapides et moins gourmandes en énergie. Mais il y a un problème : à force de rétrécir les composants, leurs performances finissent souvent par se dégrader. Une équipe de chercheurs japonais affirme pourtant avoir trouvé une manière de contourner cette vieille règle de l’industrie.

Une vieille idée remise au goût du jour

Des scientifiques de l’Institute of Science Tokyo ont mis au point une mémoire électronique de seulement 25 nanomètres de large — environ trois mille fois plus fine qu’un cheveu humain. Et contre toute attente, leur composant fonctionne mieux à mesure qu’il devient plus petit. Pour tous ceux qui pestent contre leur smartphone brûlant après quelques minutes de jeu ou contre une montre connectée déjà à plat en fin de journée, la promesse est intéressante : cette technologie pourrait réduire fortement la consommation énergétique de nombreux appareils électroniques.

La technologie utilisée ici ne sort pas totalement de nulle part. Elle repose sur les « jonctions tunnel ferroélectriques » (FTJ), un concept étudié depuis les années 1970. L’idée consiste à exploiter la ferroélectricité, une propriété physique permettant de modifier la polarisation électrique d’un matériau afin de stocker des données sous forme de 0 et de 1. Dit autrement : on joue sur la manière dont le courant traverse un matériau pour enregistrer des informations, mais avec beaucoup moins d’énergie qu’une mémoire classique. En théorie, c’est séduisant depuis longtemps. En pratique, les chercheurs se heurtaient toujours au même mur : plus ces mémoires devenaient petites, plus elles perdaient en efficacité.

Un tournant est arrivé en 2011 avec la découverte des propriétés ferroélectriques de l’oxyde d’hafnium, un matériau déjà utilisé dans l’industrie des semi-conducteurs. Contrairement à d’autres matériaux, celui-ci conserve ses propriétés même lorsqu’il devient extrêmement fin. L’équipe dirigée par Yutaka Majima a donc tenté d’aller encore plus loin avec une mémoire de 25 nanomètres. Et évidemment, de nouveaux problèmes sont apparus.

À cette taille, des fuites électriques peuvent se produire au niveau des minuscules frontières entre les cristaux du matériau. En général, ce genre de phénomène donne des sueurs froides aux ingénieurs. Les chercheurs ont pourtant choisi une stratégie un peu particulière : rendre le composant encore plus petit afin de limiter l’effet de ces frontières cristallines. Ils ont aussi modifié la fabrication des électrodes. En les chauffant, elles prennent naturellement une forme semi-circulaire, ce qui rapproche la structure d’un monocristal. Résultat : moins de zones de fuite et un comportement plus stable.

Si cette technologie quitte un jour les laboratoires pour les chaînes de production, les usages potentiels ne manquent pas. Des montres connectées pourraient fonctionner pendant plusieurs mois sans recharge. Les capteurs connectés installés dans des villes ou des usines pourraient nécessiter beaucoup moins de maintenance. Les smartphones pourraient aussi chauffer moins vite…

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Source : Science

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