Mémoire Flash NAND de 30nm chez Samsung

Hardware

Par Keiichi le

Hier, Samsung a annoncé le début de la production en masse de deux versions de ses nouvelles mémoire flash NAND gravées en 30nm. Ces puces équipées de mémoire DDR (double data rate) à coeur multi niveau NAND comme la mémoire ram DDR RAM, peuvent enregistrer 2 fois plus de données par cycle et ainsi être 3 fois plus rapides que celles actuellement disponibles, en offrant une performance de 133Mbps contre les 40Mbps actuels.

Assemblées dans des périphériques de type carte mémoire, elles offriront des performances de lecteur de 60Mbps contre 17Mbps sur les cartes classiques. L’augmentation de vitesse sera aussi accompagnée d’une plus grosse capacité de stockage avec 4G0 par coeur simple couche et donc devrait proposer bientôt des puces mutli-coeurs doubles couches de 128Go.

Autant dire qu’Apple, premier client de Samsung pour les puces mémoires, est en première ligne pour booster ses produits !

samsung_30nm_flash_memory_1via electronista

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